1. 写入机制：热电子注入
NOR Flash的写入操作（编程）是通过热电子注入（Hot Electron Injection）实现的。具体过程如下：
在漏极和源极之间施加高电压，使电子从源极流向漏极。
这些电子在高能状态下被加速，并在控制栅极的电场作用下，穿透绝缘层进入浮置栅极。
这种物理过程需要较高的电压和能量，导致写入速度较慢。
相比之下，NAND Flash采用Fowler-Nordheim隧道效应（F-N隧道效应）进行写入，电子通过隧道效应穿过绝缘层，效率更高，因此写入速度更快。
2. 擦除操作的限制
NOR Flash的擦除操作是基于F-N隧道效应，通过将浮置栅极上的电子释放来完成。擦除操作通常以扇区为单位进行，每个扇区的大小通常为64KB或128KB。由于擦除操作需要在整个扇区内进行，且涉及大量的电子隧穿过程，因此耗时较长。例如，按4KB单元擦除需要约50ms，而按64KB单元擦除需要约1.2秒。
3. 存储单元结构
NOR Flash的存储单元是并联结构，每个存储单元可以独立寻址，这使得读取操作非常快速。然而，这种结构导致金属导线占用较大面积，存储密度较低，写入操作也更加复杂。
相比之下，NAND Flash的存储单元是串联结构，操作以页面（Page）为单位进行，存储密度更高，写入和擦除速度也更快。
4. 写入操作的复杂性
NOR Flash的写入操作需要先将数据加载到内部缓冲区，然后逐页写入。每次写入一个页面（通常为256字节）需要约0.6ms。此外，写入操作还受到以下限制：
写入前必须擦除：NOR Flash在写入前需要先擦除整个扇区，这增加了写入的总耗时。
写入速度受限于存储单元的物理特性：由于热电子注入的效率较低，写入速度远低于读取速度。
5. 擦除和写入的低效性
NOR Flash的擦除和写入操作都依赖于存储单元的物理特性，这些操作需要较高的电压和较长的时间来完成。例如：
擦除一个64KB的扇区需要约1.2秒。
写入一个256字节的页面需要约0.6ms。
NOR Flash写入速度由于其采用的热电子注入机制、擦除操作的低效性以及存储单元的并联结构。就会导致整体写入速度较慢。